Андрей Смирнов
Время чтения: ~13 мин.
Просмотров: 0

Даташит rt4501 pdf ( datasheet )

AP4501GM Datasheet (PDF)

1.1. ap4501gm-hf.pdf Size:80K _ape

AP4501GM-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D2
D2
▼ Low On-resistance RDS(ON) 28mΩ
D1
D1
▼ Fast Switching Performance ID 7A
G2
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V
S2
G1
S1
SO-8 RDS(ON) 50mΩ
Description ID -5.3A
Advanced Power MOSFETs from APEC pro

1.2. ap4501gm.pdf Size:84K _ape

AP4501GM
RoHS-compliant Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D2
D2
▼ Low On-resistance D1 RDS(ON) 28mΩ
D1
▼ Fast Switching Performance ID 7A
G2
S2 P-CH BVDSS -30V
G1
S1
SO-8
RDS(ON) 50mΩ
Description ID -5.3A
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best com

 3.1. ap4501gd.pdf Size:84K _ape

AP4501GD
Pb Free Plating Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V
D2
D2
D1
▼ Fast Switching Speed RDS(ON) 28mΩ
D1
▼ PDIP-8 Package ID 7A
▼ RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V
G2
S2
RDS(ON) 50mΩ
PDIP-8
G1
S1
ID -5.3A
Description
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with t

3.2. ap4501gsd.pdf Size:96K _ape

AP4501GSD
Pb Free Plating Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
D2
▼Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V



D2
D1
▼Low On-resistance D1 RDS(ON) 27mΩ



▼Fast Switching Characteristic ID 7A



G2
P-CH BVDSS -30V
S2
PDIP-8
G1
RDS(ON) 49mΩ
S1
Description ID -5A
The Advanced Power

 3.3. ap4501gh-hf.pdf Size:119K _ape

AP4501GH-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D1/D2
▼ Good Thermal Performance RDS(ON) 18mΩ
▼ Fast Switching Performance ID 10.2A
S1
G1
S2
▼ Halogen-Free Product P-CH BVDSS -30V
G2
RDS(ON) 50mΩ
TO-252-4L
Description ID -6.4A
Advanced Power MOSFETs from APEC provi

FDS4501H MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDS4501H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.3
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 17
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018
Ohm

Тип корпуса: SOIC

FDS4501H
Datasheet (PDF)

1.1. fds4501h.pdf Size:1390K _fairchild_semi

May 2001
FDS4501H
Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
General Description Features
This complementary MOSFET half-bridge device is • Q1: N-Channel
produced using Fairchild’s advanced PowerTrench
9.3A, 30V RDS(on) = 18 mΩ @ VGS = 10V
process that has been especially tailored to minimize
the on-state resistance and yet maintain low gate
RDS(on) = 23 mΩ @ VGS =

5.1. fds4559.pdf Size:147K _fairchild_semi

April 2002
FDS4559



60V Complementary PowerTrenchMOSFET
General Description Features
This complementary MOSFET device is produced using • Q1: N-Channel
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has
4.5 A, 60 V RDS(on) = 55 mΩ @ VGS = 10V
been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for
RDS(on) = 75 m

5.2. fds4559 f085.pdf Size:380K _fairchild_semi

 October 2008
tm
FDS4559_F085



60V Complementary PowerTrenchMOSFET
General Description Features
This complementary MOSFET device is produced using • Q1: N-Channel
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has
4.5 A, 60 V RDS(on) = 55 mΩ @ VGS = 10V
been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for
RD

Другие MOSFET… FDS4141_F085
, FDS4435BZ
, FDS4435BZ_F085
, FDS4465
, FDS4465_F085
, FDS4470
, FDS4488
, STD12L01
, IRF9640
, STB458D
, STB440S
, FDS4559
, STB438S
, FDS4559_F085
, STB438A
, FDS4672A
, FDS4675_F085
.

Структурная схема PT4515

Рис. 2. Структурная схема микросхемы PT4515.

Теперь несколько слов о самой микросхеме PT4515, структурная схема которой показана на рис. 2. Она содержит высоковольтный полевой транзистор VT1, усилитель постоянного тока DA1, узел питания (стабилизатор напряжения) А1 и узел защиты от перегрева и высокого напряжения в режиме стабилизации тока А2.

Узел питания А1 формирует напряжение для питания остальных элементов и образцовое напряжение для усилителя DA1, который сравнивает его с напряжением на выводе REXT, к которому подключают внешний токозадающий резистор.

В зависимости от напряжения на токозадающем резисторе ОУ открывает или закрывает полевой транзистор, поддерживая ток стока стабильным.

Выпускают эту микросхему в корпусах Т0252, SOT89, СРС4 и ESOP8, от типа корпуса зависят тепловое сопротивление и максимальная рассеиваемая мощность (без теплоотвода).

Эту микросхему выпускают с обозначениями РТ4515 и РТ4515С . Параметры этих модификаций несколько различаются. Кроме того, их производят в разных корпусах.

Судя по измеренному напряжению на выводе REXT, можно предположить, что в микромощных ИП была применена микросхема РТ4515С.

Если в такой или подобной светодиодной лампе вышли из строя один или несколько светодиодов, а это типичная ситуация, и ремонтировать её нецелесообразно, исправные «остатки» можно использовать для изготовления небольшого по размерам и имеющего неплохие параметры сетевого ИП.

Пригодятся диодный мост, оксидный конденсатор и микросхема. Для этого следует вынуть из цоколя алюминиевую плату, на которой установлены элементы, нагреть её с нижней стороны (паяльником, феном или утюгом), а когда припой расплавится, аккуратно и быстро снять все элементы. Исправные светодиоды могут пригодиться для ремонта аналогичных ламп.

FDS4501H Datasheet (PDF)

1.1. fds4501h.pdf Size:1390K _fairchild_semi

May 2001
FDS4501H
Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
General Description Features
This complementary MOSFET half-bridge device is • Q1: N-Channel
produced using Fairchild’s advanced PowerTrench
9.3A, 30V RDS(on) = 18 mΩ @ VGS = 10V
process that has been especially tailored to minimize
the on-state resistance and yet maintain low gate
RDS(on) = 23 mΩ @ VGS =

5.1. fds4559.pdf Size:147K _fairchild_semi

April 2002
FDS4559



60V Complementary PowerTrenchMOSFET
General Description Features
This complementary MOSFET device is produced using • Q1: N-Channel
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has
4.5 A, 60 V RDS(on) = 55 mΩ @ VGS = 10V
been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for
RDS(on) = 75 m

5.2. fds4559 f085.pdf Size:380K _fairchild_semi

 October 2008
tm
FDS4559_F085



60V Complementary PowerTrenchMOSFET
General Description Features
This complementary MOSFET device is produced using • Q1: N-Channel
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has
4.5 A, 60 V RDS(on) = 55 mΩ @ VGS = 10V
been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for
RD

Краткое описание микросхемы PT4115

Согласно официальной документации, LED драйвер с функцией диммирования на основе PT4115 обладает следующими техническими характеристиками:

  • диапазон рабочего входного напряжения: 6–30В;
  • регулируемый выходной ток до 1,2А;
  • погрешность стабилизации выходного тока 5%;
  • имеется защита от обрыва нагрузки;
  • имеется вывод для регулировки яркости и включения/выключения при помощи DC или ШИМ;
  • частота переключения до 1 МГЦ;
  • КПД до 97%;
  • обладает эффективным корпусом, с точки зрения рассеивания мощности.

  1. SW. Вывод выходного переключателя (МОП-транзистора), который подключен непосредственно к его стоку.
  2. GND. Общий вывод сигнальной и питающей части схемы.
  3. DIM. Вход для задания диммирования.
  4. CSN. Вход с датчика тока.
  5. VIN. Вывод напряжения питания.

Первый вариант блока питания

Схема первого варианта ИП показана на рис. 3. Сетевое напряжение выпрямляет диодный мост VD1, конденсатор С1 сглаживает пульсации выпрямленного напряжения.

Чтобы уменьшить мощность, рассеиваемую на микросхеме стабилизатора тока, последовательно с ним включены токоограничивающие резисторы R1 и R2.

Их ориентировочное суммарное сопротивление R (в омах) можно определить по формуле R = (Uc — Uda1, — Uвых)/Ін, где Uc — напряжение сети, В; Uda1 — напряжение на микросхеме (50…60 В); Uвых — выходное напряжение, В; Ін — ток нагрузки, А.

Рис. 3. Схема простого блока питания на основе PT4515E89C.

Поскольку конденсатор С1 подключён к мосту через резистор R1, ток его зарядки ограничен и поэтому большого броска тока при подключении этого ИП к сети не будет. Стабилизированный ток перераспределяется между стабилитроном VD2, который задаёт выходное напряжение, и нагрузкой.

Ток нагрузки не должен превышать 4 мА, поскольку 1 мА — минимальный ток стабилизации стабилитрона. У этого ИП есть определённые достоинства, повышающие надёжность его работы.

Отсутствует большой бросок тока при зарядке конденсатора С1. Этот конденсатор заряжается не до амплитудного значения сетевого напряжения, а существенно меньше.

При пробое конденсатора просто увеличатся ток, потребляемый от сети, и соответственно разогрев резистора R1. Поэтому на его месте лучше применить резистор с запасом по мощности рассеяния. Пробой полевого транзистора в микросхеме приведёт лишь к ухудшению стабильности выходного напряжения, росту пульсаций и помех.

Поскольку любой из выходов ИП соединён с сетью 230 В через резистор, в данном случае 20 кОм, это уменьшает вероятность поражения током при прикосновении к выходным цепям ИП. Недостаток уже отмечен ранее — повышенный разогрев элементов.

Рис. 4. Печатная плата для схемы.

Рис. 5. Вид готового блока питания.

Чертёж печатной платы первого варианта ИП показан на рис. 4. Изготовлена она из фольгированного с одной стороны стеклотекстолита толщиной 1,5…2 мм.

Каждый из резисторов R1 и R2 составлен из шести для поверхностного монтажа типоразмера 1206 сопротивлением 30 кОм и мощностью 0,25 Вт, которые включены последовательно-параллельно.

Конденсатор С1 — оксидный для поверхностного монтажа, конденсатор С2 — К10-17 типоразмера 1206. Стабилитрон может быть любой малогабаритный на напряжение 3,3…30 В, при этом никаких других изменений делать не надо. Металлизированный участок платы, на который припаяна микросхема DA1, выполняет функцию теплоотвода.

Но его недостаточно, поэтому рядом с микросхемой припаян дополнительный теплоотвод, в качестве которого использован медный фланец от неисправного транзистора или микросхемы в корпусе ТО220.

Налаживание сводится к установке тока стабилизации с помощью резистора R3 в соответствии с приведённым выше выражением. Токоограничивающие резисторы R1 и R2 подбирают так, чтобы при номинальном напряжении сети на микросхеме было постоянное напряжение 50…60 В.

В этом ИП с указанными на схеме номиналами размах напряжения пульсаций на микросхеме DA1 — 20 В при постоянном напряжении на ней около 60 В. Пульсаций на выходе не наблюдалось совсем.

Если заменить микросхему резистором, размах напряжения пульсаций на выходе — 15 мВ. Внешний вид смонтированной платы показан на рис. 5.

AP4501GM MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP4501GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5.3)
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 5(10)
ns

Выходная емкость (Cd): 150(80)
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028(0.05)
Ohm

Тип корпуса: SO8

AP4501GM
Datasheet (PDF)

1.1. ap4501gm-hf.pdf Size:80K _ape

AP4501GM-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D2
D2
▼ Low On-resistance RDS(ON) 28mΩ
D1
D1
▼ Fast Switching Performance ID 7A
G2
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V
S2
G1
S1
SO-8 RDS(ON) 50mΩ
Description ID -5.3A
Advanced Power MOSFETs from APEC pro

1.2. ap4501gm.pdf Size:84K _ape

AP4501GM
RoHS-compliant Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D2
D2
▼ Low On-resistance D1 RDS(ON) 28mΩ
D1
▼ Fast Switching Performance ID 7A
G2
S2 P-CH BVDSS -30V
G1
S1
SO-8
RDS(ON) 50mΩ
Description ID -5.3A
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best com

 3.1. ap4501gd.pdf Size:84K _ape

AP4501GD
Pb Free Plating Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V
D2
D2
D1
▼ Fast Switching Speed RDS(ON) 28mΩ
D1
▼ PDIP-8 Package ID 7A
▼ RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V
G2
S2
RDS(ON) 50mΩ
PDIP-8
G1
S1
ID -5.3A
Description
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with t

3.2. ap4501gsd.pdf Size:96K _ape

AP4501GSD
Pb Free Plating Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
D2
▼Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V



D2
D1
▼Low On-resistance D1 RDS(ON) 27mΩ



▼Fast Switching Characteristic ID 7A



G2
P-CH BVDSS -30V
S2
PDIP-8
G1
RDS(ON) 49mΩ
S1
Description ID -5A
The Advanced Power

 3.3. ap4501gh-hf.pdf Size:119K _ape

AP4501GH-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D1/D2
▼ Good Thermal Performance RDS(ON) 18mΩ
▼ Fast Switching Performance ID 10.2A
S1
G1
S2
▼ Halogen-Free Product P-CH BVDSS -30V
G2
RDS(ON) 50mΩ
TO-252-4L
Description ID -6.4A
Advanced Power MOSFETs from APEC provi

Другие MOSFET… AP4500GM-HF
, AP4500GYT-HF
, AP4501AGEM-HF
, AP4501AGEY-HF
, AP4501AGM-HF
, AP4501CGM-HF
, AP4501GD
, AP4501GH-HF
, TPC8107
, AP4501GSD
, AP4502AGM-HF
, AP4502GM
, AP4503AGEM-HF
, AP4503AGM-HF
, AP4503BGM-HF
, AP4503BGO-HF
, AP4503GM
.

AP4501GSD Datasheet (PDF)

1.1. ap4501gsd.pdf Size:96K _ape

AP4501GSD
Pb Free Plating Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
D2
▼Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V



D2
D1
▼Low On-resistance D1 RDS(ON) 27mΩ



▼Fast Switching Characteristic ID 7A



G2
P-CH BVDSS -30V
S2
PDIP-8
G1
RDS(ON) 49mΩ
S1
Description ID -5A
The Advanced Power

3.1. ap4501gd.pdf Size:84K _ape

AP4501GD
Pb Free Plating Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V
D2
D2
D1
▼ Fast Switching Speed RDS(ON) 28mΩ
D1
▼ PDIP-8 Package ID 7A
▼ RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V
G2
S2
RDS(ON) 50mΩ
PDIP-8
G1
S1
ID -5.3A
Description
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with t

3.2. ap4501gm-hf.pdf Size:80K _ape

AP4501GM-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D2
D2
▼ Low On-resistance RDS(ON) 28mΩ
D1
D1
▼ Fast Switching Performance ID 7A
G2
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V
S2
G1
S1
SO-8 RDS(ON) 50mΩ
Description ID -5.3A
Advanced Power MOSFETs from APEC pro

 3.3. ap4501gm.pdf Size:84K _ape

AP4501GM
RoHS-compliant Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D2
D2
▼ Low On-resistance D1 RDS(ON) 28mΩ
D1
▼ Fast Switching Performance ID 7A
G2
S2 P-CH BVDSS -30V
G1
S1
SO-8
RDS(ON) 50mΩ
Description ID -5.3A
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best com

3.4. ap4501gh-hf.pdf Size:119K _ape

AP4501GH-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp. MODE POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V
D1/D2
▼ Good Thermal Performance RDS(ON) 18mΩ
▼ Fast Switching Performance ID 10.2A
S1
G1
S2
▼ Halogen-Free Product P-CH BVDSS -30V
G2
RDS(ON) 50mΩ
TO-252-4L
Description ID -6.4A
Advanced Power MOSFETs from APEC provi

Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Максим Иванов
Наш эксперт
Написано статей
129
Ссылка на основную публикацию
Похожие публикации